Nowy rodzaj pamięci

Zespół naukowców z California Institute of Technology (Caltech) oraz University of California w Los Angeles (UCLA) opracowali komórkę o pojemności 160 kilobitów, której gęstość zapisu wynosi 100 Gb na centymetr kwadratowy.

Układ pamięci zbudowany została przy użyciu nanotechnologii i składa się z 400 przewodów tytanowych skrzyżowanych z 400 przewodami krzemowymi, a ich połączenia oddzielone jest przełącznikiem molekularnym. Jedno skrzyżowanie to jeden bit pamięci, który ma rozmiar 15 nanometrów. Dzisiejsze najmniejsze pojedyncze komórki mają 140 nanometrów.

Według prawa Morra, które mówi, że ekonomicznie optymalna liczba tranzystorów w układach scalonych podwaja się co 18 miesięcy, pamięci te powinny pojawić się dopiero w 2020 roku.

Jednym z pierwszych koncernów, który bardzo zainteresował się nowym dziełem naukowców, jest Intel, który może zostać wytwórcą takich pamięci. Kiedy tak naprawdę zobaczymy pierwsze moduły wykorzystujące ta technologię nie wiadomo, wszystko zależy od producentów, którzy mają problem z szybką miniaturyzacją układów.

/mk/